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IEDM 2021在其程序中展示了许多图像传感器论文：
20-1 具有高 PDE 和时序抖动性能的背照式 6 μm SPAD 像素阵列，
S. Shimada、Y. Otake、S. Yoshida、S. Endo、R. Nakamura、H. Tsugawa、T. Ogita、T. Ogasahara , K. Yokochi, Y. Inoue, K. Takabayashi, H. Maeda, K. Yamamoto, M. Ono, S. Matsumoto, H. Hiyama 和 T. Wakano。
Sony
本文介绍了使用 3D 堆叠技术的 6μm 间距硅 SPAD 像素阵列。在 λ=940nm 和 3V 过偏压下实现了 20.2% 的 PDE 和 137ps 的时序抖动 FWHM。这些最先进的性能是通过实施金字塔表面结构和像素电位剖面优化来实现的。
30-1 亚微米 CMOS 图像传感器中的高效分色和聚焦，
S. Yun、S. Roh、S. Lee、H. Park、M. Lim、S. Ahn 和 H. Choo。
Samsung Advanced Institute of Technology
我们报告了纳米级超光子颜色路由 (MPCR) 结构，该结构可以显着提高亚微米 CMOS 图像传感器的低光性能。在三星商用 0.8μm 像素传感器上制造的 MPCR 结构证实了量子效率提高 (+20%)、亮度 SNR 改善 (+1.22 dB@5lux)、相对较低的颜色误差和良好的角度容限响应。
20-2 用于低光成像和深度感应的 3.2 百万像素 3D 堆叠电荷聚焦 SPAD（最新消息），
K. Morimoto、J. Iwata、M. Shinohara、H. Sekine、A. Abdelghafar、H. Tsuchiya、Y. Kuroda, K. Tojima, W. Endo, Y. Maehashi, Y. Ota, T. Sasago, S. Maekawa, S. Hikosaka, T. Kanou, A. Kato, T. Tezuka, S. Yoshizaki, T. Ogawa, K. Uehira、A. Ehara、F. Inui、Y. Matsuno、K. Sakurai、T. Ichikawa。
Canon Inc.
我们推出了新一代可扩展的光子计数图像传感器，用于弱光成像和深度感应，具有读取无噪声操作。新提出的电荷聚焦 SPAD 用于原型 3.2 兆像素 3D 背照式图像传感器，展示了基于 APD 的图像传感器中最大阵列尺寸的同类最佳像素性能。
23-4 1.62μm 全局快门量子点图像传感器，针对近波和短波红外进行了优化，
JS Steckel, E. Josse, AG Pattantyus-Abraham, M. Bidaud, B. Mortini, H. Bilgen, O. Arnaud, S. Allegret- Maret, F. Saguin, L. Mazet, S. Lhostis, T. Berger, K. Haxaire, LL Chapelon, L. Parmigiani, P. Gouraud, M. Brihoum, P. Bar, M. Guillermet, S. Favreau, R . Duru, J. Fantuz, S. Ricq, D. Ney, I. Hammad, D. Roy, ​​A. Arnaud, B. Vianne, G. Nayak, N. Virollet, V. Farys, P. Malinge, A. Tournier , F. Lalanne, A. Crocherie, J. Galvier, S. Rabary, O. Noblanc, H. Wehbe-Alause, S. Acharya, A. Singh, J. Meitzner, D. Aher, H. Yang, J. Romero , B. Chen, C.Hsu, KC Cheng, Y. Chang, M. Sarmiento, C. Grange, E. Mazaleyrat, K. Rochereau,
STMicroelectronics
我们开发了一种 1.62μm 像素间距全局快门传感器，针对 NIR 和 SWIR 成像进行了优化。这一突破是通过使用我们的胶体量子点薄膜技术实现的。我们已将这种新平台技术扩展到我们的 300 毫米制造工具集。
30-2 具有 150 dB 动态范围和减轻光闪烁的汽车 8.3 MP CMOS 图像传感器（已邀请），
M. Innocent、S. Velichko、D. Lloyd、J. Beck、A. Hernandez、B. Vanhoff、C. Silsby、 A. Oberoi、G. Singh、S. Gurindagunta、R. Mahadevappa、M. Suryadevara、M. Rahman 和 V. Korobov，
安森美半导体
用于汽车应用的新型 8.3 MP 图像传感器具有 2.1 μm 像素，具有溢出和三重增益读数。与早期的 3 μm 像素相比，无闪烁范围增加到 110 dB，总范围增加到 150 dB。转换中的 SNR 在高达 125°C 时保持在 25 dB 以上。
30-3 用于具有高 FWC 和 97 dB 单次曝光动态范围的安全摄像机的 2.9μm 像素 CMOS 图像传感器，
T. Uchida、K. Yamashita、A. Masagaki、T. Kawamura、C. Tokumitsu、S. Iwabuchi,. Onizawa, M. Ohura, H. Ansai, K. Izukashi, S. Yoshida, T. Tanikuni, S. Hiyama, H. Hirano, S. Miyazawa, Y. Tateshita,
Sony
我们为 CMOS 图像传感器开发了一种新的光电二极管结构像素尺寸为 2.9μm。它增加了以下两种结构：一种是在全深度深沟槽隔离侧壁上形成强电场P/N结，另一种是双垂直栅结构。
30-4 CMOS 图像传感器的 3D 顺序工艺集成，
K. Nakazawa、J. Yamamoto、S. Mori、S. Okamoto、A. Shimizu、K. Baba、N. Fujii、M. Uehara、K. Hiramatsu、H. Kumano、A. Matsumoto、K. Zaitsu、H. Ohnuma、K. Tatani、T. Hirano 和 H. Iwamoto，
索尼
我们开发了一种新的像素晶体管结构，该结构堆叠在通过 3D 顺序工艺集成制造的光电二极管上。借助这项技术，我们成功增加了 AMP 尺寸，并展示了 6752 x 4928 像素、0.7um 间距的背照式 CMOS 图像传感器，以证明其功能和完整性。
35-3 使用嵌入像素处理的视觉传感器进行计算成像（受邀），
JNP Martel，G. Wetzstein，
斯坦福大学
嵌入像素处理功能的新兴视觉传感器为捕捉视觉信息提供了新的方法。我们回顾了我们在使用此类视觉传感器设计新系统和算法方面的一些工作，这些传感器在视频压缩成像、高动态范围成像、高速跟踪、高光谱或光场成像中的应用。
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发表于 2021-10-18 16:30:24